一个P沟道铝栅极MOS晶体管具有下列参数：xo=100nm，Nd=2×1015cm-3，Qo=1011cm-2，L=10μm，Z=50μm，μp=230cm2/(V·s)．计算在VG等于-4V和-8V时的IDS，并绘出电流-电压特性．
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