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当前学科：半导体制造技术
题目：
问答题
一片硅片由0.3um厚的SiO
2
薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H
2
O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
答案：
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