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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
单选
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF
4
的()内加入适量的氢气,能够降低刻蚀的速率。
A . 气体
B . 等离子体
C . 固体
D . 液体
答案:
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