简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。_半导体制造技术_全学科试题题库

当前学科：半导体制造技术

题目：未知题型
简述常规热氧化办法制备SiO₂介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
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