在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体_集成电路制造工艺员（三级）_全学科试题题库

当前学科：集成电路制造工艺员（三级）

题目：单选
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
答案： <查看本题扣1积分>

查看答案

答案不对？请尝试站内搜索

推荐知识点:

对慢性淋巴细胞性甲状腺炎诊断有意义的实验室检查为（）

高炉副产品中的高炉炉尘主要用于（），并且是其上好原料。

使用热站作为备份的优点是：（）

下列对颞下颌关节上腔造影正常图像的描述，错误的是（）

载波侦听多址接入/避免冲撞协议

简述叶轮给煤机有哪几部分组成？

有关文件传输协议FTP叙述正确的有（）。

制作面点时，选用猪油的部位是（）

供拄杖者及视力残疾者使用的楼梯应符合有关规定，下述各项中何者有误？（）

海胆有毒吗？