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当前学科：集成电路制造工艺员（三级）
题目：
单选
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体
A . 栅氧化层
B . 沟槽
C . 势垒
D . 场氧化层
答案：
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