当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
  • 题目: 单选
    当热氧化的最初阶段,()为限制反应速率的主要原因。

      A . 温度
      B . 硅-二氧化硅界面处的化学反应
      C . 氧的扩散速率
      D . 压力

    答案: <查看本题扣1积分>

    查看答案

    答案不对?请尝试站内搜索