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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
单选
干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。
A . 生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
B . 氧化的速度慢
C . 生长的二氧化硅缺陷多
D . 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
答案:
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