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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
单选
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
A . n型掺杂区
B . P型掺杂区
C . 栅氧化层
D . 场氧化层
答案:
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