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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
多选
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
A . 光刻胶
B . 衬底
C . 表面硅层
D . 扩散区
E . 源漏区
答案:
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