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当前学科:集成电路制造工艺员(三级)
题目:
单选
为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
A . 多晶硅
B . 单晶硅
C . 铝硅铜合金
D . 铜
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