A . 内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B . 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C . 表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D . 用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
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