降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。_集成电路制造工艺员（三级）_全学科试题题库

当前学科：集成电路制造工艺员（三级）

题目：单选
降低靶的温度，有利于非晶层的形成，所以临界注入量随之（）。
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