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当前学科:半导体材料
题目:
单选
悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。
A . 3min
B . 5min
C . 7min
D . 10min
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