设棒状光电导体长为l，截面积为S，在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm³·s，若在棒两端施加电压V，试证光生电流与总电流之比为

  式中b=μ_n/μ_p·n₀为平衡导带电子浓度。设光生载流子寿命τ_n=τ_p=10^-4s·Q=10¹⁴cm^-3，估计300K下硅单晶的△I/I比值。