A . A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
B . B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
C . C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D . D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
E . E．除A以外都对