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题目： 未知类型
如图所示的是用平面工艺制成的芯片的横截面。p型硅衬底电阻率为10Ω·cm，外延层厚度为2.5μm，施主杂质浓度为5×1015cm-3。图中A处为铂接触，是直接做在外延层硅的表面上的。若忽略所有的边界效应，试求：
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如图所示的是用平面工艺制成的芯片的横截面。p型硅衬底电阻率为10Ω·cm，外延层厚度为2.5μm，施主杂质浓度为5×1015cm-3。图中A处为铂接触，是直接做在外延层硅的表面上的。若忽略所有的边界效应，试求：
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